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Hitachi

耐久性と低消費電力特性を両立した新構造SiCパワーデバイス「TED-MOS®」を製品化

発電、送変電、電動化を担う機器の高効率化・省エネ化により脱炭素社会の実現に貢献

ニュースリリース概要

発行日、発行元

2021年1月26日

タイトル

耐久性と低消費電力特性を両立した新構造SiCパワーデバイス「TED-MOS®」を製品化

リリース文抜粋

[画像]新構造SiCパワーデバイス「TED-MOS®」

新構造SiCパワーデバイス「TED-MOS®」


株式会社日立パワーデバイスは、電力システムや鉄道、EV、データセンターなどの重要な社会インフラを構成する各種機器・設備の高効率化や省エネ化を実現する、次世代材料の炭化ケイ素(SiC)を用いたパワーデバイスの新製品であるFin状トレンチ型MOSFET「TED-MOS®」のサンプル出荷を2021年3月から開始します。