日立製作所 中央研究所（所長：西野壽一）は、このたび、従来比約３倍の容量密度を実現する無線通信用混載LSI向けキャパシタ形成技術を開発しました。本技術は、Cu(銅)/Ta₂O₅（五酸化タンタル）/Cu からなるMIM（Metal-Insulator-Metal：金属−絶縁体−金属）構造と称されるキャパシタに、極薄アルミナ（Al₂O₃）膜を挿入し、絶縁体であるTa₂O₅の膜質を大幅に改善することによって実現しました。これにより、ＬＳＩ中のキャパシタの占有面積を大幅に削減できるため、今後市場規模の拡大が予想される無線通信機器向けのLSIのさらなる高集積化・高機能化が可能となります。

　近年急速に市場が拡大している無線通信機器の高機能化には、システムLSIの高性能化が大きく寄与しています。この通信用システムＬＳＩの送・受信を直接担っているアナログ回路部には、キャパシタ・インダクタ・抵抗などの各種受動素子が多く使用されています。これらの中で、アナログ回路の高性能化には、キャパシタの低損失化、高容量化によるキャパシタ面積の削減が必須となっています。そこで、近年、抵抗成分が小さく、高容量密度化が可能な、MIM構造の容量素子が注目され、無線通信用システムLSIの高性能化の鍵となる技術として、量産プロセスの確立や信頼性の向上が期待されています。

　このような背景から、当社中央研究所では、高い容量密度を実現するとともに低温プロセスでも信頼性の高いMIMキャパシタ製造技術を開発しました。技術の特徴は次の通りです。