日立製作所　情報・通信グループ(グループ長＆CEO：古川　一夫、以下 日立)は、このたび、世界最高水準のランダムアクセス時間8ns(*1)、データ転送速度4GB/s(*2)を実現した144Mbit高性能キャッシュ(*3)DRAM「HDL5KMシリーズ」を製品化し、6月1日からサンプル出荷を開始します。

*1) ns ：

nanosecond、10億分の1秒

*2) GB/s ：

ギガバイト/秒、1ギガバイトは1,0243バイト

*3) キャッシュ ：

プロセッサとメインメモリの間に位置する高速メモリで、使用頻度の高いデータを蓄積し、低速なメインメモリへのアクセスを減らすことで、計算機性能を向上するために用いられる

  コンピュータやネットワーク機器の高性能化を実現するために、メモリは高速処理が可能なSRAMが採用されてきました。しかし、さらなる高性能化に対応するため、SRAM並みに高速で、DRAM並みに大容量のメモリを求めるニーズが高まってきました。

  本製品は、当社のデバイス開発センタが開発した製造技術である高速ロジック混載DRAMプロセスにより製造することで、144Mbitの大容量メモリを搭載しながらSRAM並みの高速動作を実現しています。そのため、高性能サーバのキャッシュメモリや、ルータまたはスイッチなどのネットワーク機器向けバッファメモリ(*4)やテーブルメモリ(*5)に使用することで、さらなる高性能化が可能となります。

*4) バッファメモリ ：

ネットワーク機器において、処理するパケットデータを一時的に蓄積するために用いられるメモリ

*5) テーブルメモリ ：

ネットワーク機器において、パケットの送出アドレスを検索する際のアドレス格納のために用いられるメモリ