日立製作所 半導体グループ(グループ長＆CEO 石橋 正)は、このたび、サーバやワークステーション、パ
ソコン等のメインメモリ用として、144MビットダイレクトラムバスDRAM(以下、RDRAM(R)(注1))
「HM5512182FBT」と、同メモリを搭載した184ピンの288Mバイトメモリモジュール(以下、RIMM(TM)(注2))
「HB55A256ARR」および144MバイトRIMM「HB55A128ARP」を製品化しました。144Mビット単品は平成11年11
月から、RIMMは同年12月からサンプル出荷を開始します。
　なお、ECC機能(注3)を持たない128MビットダイレクトRDRAM「HM5512162FBT」もあわせて製品化し、平成
12年3月からサンプル出荷を開始します。
     
　近年、パソコンやワークステーション、サーバなどにおいては、インターネットをはじめとしたネットワ
ークの普及や動画像データの増大により、大容量データの高速処理が望まれています。さらに、搭載される
メモリには大容量化に加え、そのデータをより高速に処理するため、メモリコントローラとDRAM間のデータ
転送速度の向上が求められています。
　そこで、今回、当社では1.6Gバイト/秒の高速データ転送を実現したダイレクトRDRAM、およびRIMMを製品
化しました。
     
　144Mビット品の「HM5512182FBT」と128Mビット品の「HM5512162FBT」は、0.18μm CMOSプロセスを採用
し、業界最小のチップサイズでデータ転送周波数800MHz(動作周波数400MHz)を実現しています。ダイレクト
RDRAMインタフェースを内蔵し、外部クロックの立ち上がり/立ち下がりに同期させてデータの入出力を行う
ため、1ピン当たりのデータ転送速度は800Mビット/秒となり、単品で1.6Gバイト/秒の高速転送を実現でき
ます。また、4バンクのインタリーブ動作によってバンク切り替えを行うことで、ランダムアクセス性能を
向上させつつ、高速データ転送を可能にしています。
　なお、データ転送周波数が711MHzと600MHzの製品も品揃えしています。
       
　さらに、回路設計の工夫により、1.5W(Typ.)という低消費電力を実現しています。
  電源電圧は2.5V±0.13V、インタフェースは高速動作を実現するため、0.8Vの小振幅のRSL(注4)を採用し
ました。
     
　「HM5512182FBT」は、256kワード×18ビット×32バンク構成で、ECC機能付きメモリシステムに対応して
います。本メモリを搭載した288MバイトRIMM 「HB55A256ARR」は128Mワード×18ビット(256kワード×512
バンク×18ビット)構成、144MバイトRIMM「HB55A128ARP」は64Mワード×18ビット(256kワード×256バン
ク×18ビット)構成です。
　「HM5512162FBT」は、256kワード×16ビット×32バンク構成で、ECC機能を保持しないメモリシステムに
対応します。
     
　パッケージは、応力緩和構造を備え、ハンダ接続の信頼性が高いP-TFBGA(注5)54ピンを採用しています。
     
(注１)ダイレクトラムバスDRAM(RDRAM(R))：Direct Rambus(R) DRAM Rambus、RDRAMは米国ラムバス社
      (Rambus Inc.)の登録商標です。
(注２)RIMM(TM)：Rambus Inline Memory Module RIMMは米国ラムバス社(Rambus Inc.)の商標です。
(注３)ECC機能：Error Checking and Correcting メモリ内のデータエラー発生の有無をチェックすると
      同時にエラーを補正する機能。
(注４)RSL：Rambus Signal Level
(注５)P-TFBGA：Plastic-Thin Fine pitch Ball Grid Array
     
■応用機器
  パソコン、サーバ、ワークステーションなど
     
■ 価　格

     
                                                     　　　 以  上