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平成11年8月31日

日立製作所、富士電機がパワー半導体分野で提携に合意

− 本年11月を目処に開発・設計合弁会社設立 −

                                     株式会社日立製作所
                                                                 富士電機株式会社
     
     
 株式会社日立製作所(取締役社長:庄山悦彦/以下、日立製作所)と富士電機株式会社(取締役社長:沢邦
彦/以下、富士電機)は、このたび、パワー半導体の開発・設計を主な事業とする合弁会社「富士・日立パ
ワー半導体テクノ開発株式会社」(仮称)を、本年11月を目処に設立することで合意しました。
  また、両社は、今後、パワー半導体に関する生産設備の活用など広範な協力関係の構築についても検討
していきます。
     
 パワー半導体は、電力分野、鉄道車両、産業機器及び民生機器などの電気エネルギーを制御するためのキ
ーコンポーネントとして使用される半導体です。高電圧・大電流に耐える半導体とするため、製造プロセス
全体でマイコンやLSIに匹敵するクリーン度が要求され、設備・開発投資が膨大なものになっています。
 現在、パワー半導体市場においては、製品スコープの拡大、インテリジェント化・微細化など技術の高度
化、価格競争と製品のカスタマイズ化等の傾向により、開発投資の効率化と人材資源の有効活用を図り、コ
スト削減とともに市場のニーズを先取りした製品ラインアップを迅速に提供することが急務となっていま
す。
     
 日立製作所と富士電機は、今回設立する合弁会社を通じて、両社の世界トップレベルの技術を活用し、
市場における優位性をさらに高めるとともに、開発投資の効率化とスピードアップを図ることで、よりコス
トパフォーマンスに優れた製品の提供を行います。また、開発費用を分担することにより、両社のパワー
半導体事業の収益力向上を図る考えです。
     
 日立製作所は、高い信頼性が求められる鉄道車両用製品をベースとした大容量・高電圧IGBTや自動車用ダ
イオード、高電圧ワンチップインバータIC等がトップレベルにあり、また、これらを組込んだ高付加価値製
品のパワーエレクトロニクス製品により、他社との差別化を図っています。
 今般、中容量IGBT、及び高電圧ダイオード分野に強みを持つ富士電機との提携により、市場要求への迅速
な対応とシステム製品の高度化をさらに進めていきます。
     
 富士電機はパワー半導体のリーディングメーカーとして、鉄道車両分野並びにファクトリーオートメーシ
ョン機器等の産業分野はもとより、自動車、情報機器、家電等、国内外の幅広いユーザに先端的で高性能且
つ高機能なパワーデバイスを提供しており、パワー半導体をパワーエレクトロニクス事業の中核として展開
しております。
  今般、大容量、高電圧半導体において強みを有する日立製作所と協力することにより、製品の品揃え、開
発のスピードのアップを実現し、事業拡大を目指します。
     
  両社は、パワー半導体分野における互いの強みを持ちよることで、開発のスピードアップと製品バリエー
ションの拡大を図り、よりユーザーのニーズに相応しい製品を提供し、今後、世界トップのパワー半導体供
給メーカとなるべく事業を推進してまいります。
     
■略語注記
 ・LSI:Large Scale Integrated Circuit(大規模集積回路)。
 ・IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)
 ・IC:Integrated Circuit(集積回路)
     
■新会社の概要
  1.会社名   : 富士・日立パワー半導体テクノ開発株式会社(仮称)
  2.本社所在地 : 東京都品川区
  3.資本金   : 未定(出資比率:日立製作所 50%、富士電機 50%(予定))
 4.設立時期  : 平成11年11月(予定)
 5.代表者   : 未定(2年毎の交代とし、当初は富士電機から出す予定)
 6.従業員数  : 約130人
 7.主な事業内容: パワー半導体の開発及び設計
     

     
     
     
                                                                      以  上
     


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