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平成11年6月23日

NEC、日立がDRAM分野で広範な提携に合意

                                      日本電気株式会社
                                                                 株式会社日立製作所
               
 日本電気株式会社(社長:西垣浩司、以下、NEC)と株式会社日立製作所(取締役社長:庄山悦彦、以下、
日立)の両社はこのたび、DRAM分野において広範な提携関係を構築することに合意いたしました。
 両社は、DRAM開発・設計に関する合弁会社の設立やDRAM販売ブランドの統一、さらには新ブランド
製品における両社生産工場活用など、広範かつ全面的な協力関係の構築を今後検討してまいります。
 開発・設計の合弁会社については、本年末を目処に設立の準備を進め、販売ブランドの統一などのさらな
る提携については、具体的に合意に達した案件から速やかに実施してまいります。
          
 現在、半導体業界においては、DRAMメーカを中心として大型提携が進んでおります。先端技術開発、
製品コストをめぐっての競争が世界的に激化し、メーカ間における合併、買収、戦略的提携の動きが加速し
ております。
 両社はDRAM開発・設計の合弁会社を通じ、両社の世界トップレベルの技術を持ち寄ることで、市場に
おけるリーディング・ポジションを確保することが可能となるとともに、世代毎に巨額化する開発費用を共
同分担することにより、両社の半導体事業の収益改善を図ることができると考えております。
          
 NECは、メモリ分野では画像処理に優れたバーチャル・チャネル・メモリの提案を行い、業界での標準化
を目指しており、さらに、大容量、高速商品に特化することにより収益の改善を図ってきております。しか
し、メモリ市場では、欧米やアジアのメーカによる寡占的な動きが強まっており、今後、DRAM事業で勝
ち残るためには、規模の拡大と開発力の強化によるコスト競争力の強化が不可欠と考えるに至りました。今
般、優れた技術力を有する日立との提携により、DRAM分野での開発リソースの結集を通じて、世界一流
のDRAM技術開発力をさらに磨き上げ、市場における競争力の一層の向上とプレゼンスの拡大を図ってま
いります。
     
 日立は、0.18μmプロセス技術など他社に先駆けた優れたDRAM技術や独自のパッケージ技術を有し
ております。また、高速低消費電力対応の高性能DRAMの設計技術についてもトップレベルにあり、これら
を駆使した高付加価値品により他社との差別化を図っております。
 日立の半導体グループは、これまで事業再編、経営改革を通じて経営のスリム化を実現しており、今後は
アライアンスや外部生産委託を通じて、積極的にスピード経営を進めております。今回のNECとの提携に
より、市場要求への一層の対応スピード向上を図ってまいります。
     
 両社は、DRAM分野における互いの強みを持ち寄ることで、今後、世界トップのDRAM供給メーカと
なるべく事業を推進してまいります。

               
                                                                        以  上


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