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News Release

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平成10年10月1日

高速データ転送を実現するDDR方式の64MビットシンクロナスDRAMを製品化

−ハイエンドパソコンやワークステーション等のメインメモリ、
拡張メモリ用に1ピン当り266Mbpsの高速データ転送レートを実現−

  日立製作所は、このたび、ハイエンドパソコンやワークステーション(WS)、サーバー等のメインメモリ、
画像、キャッシュ用途として、1ピン当り266Mbps(注1)の高速データ転送レートを実現した、DDR(Double 
Data Rate)方式の64MビットシンクロナスDRAM(DDR SDRAM)「HM5464401DTTシリーズ(×4ビット構成)」、
「HM5464801DTTシリーズ(×8ビット構成)」、「HM5464161DTTシリーズ(×16ビット構成)」を製品化し、平
成10年11月からサンプル出荷を開始します。本製品は、外部クロックの立ち上がり、立ち下がりに同期
させてデータの入出力を行うDDR方式を採用することで、1ピン当り266Mbps(133MHzクロック周波数時)
と通常のSDRAMの2倍のデータ転送レートを実現しました。
 パッケージは、JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)標準の66ピン400ミル(注2)TSOP-II
パッケージを採用しています。

 近年、パソコン、WSなど情報機器のシステムの高速化、CPUの高性能化が進んでおり、メインメモリや
画像、キャッシュ用途として使用されるDRAMに対しても、大量のデータを高速に処理するために、データ
転送レートの向上が望まれています。そこで、今回、当社では次世代を狙った高速DRAMとして、64Mビッ
トDDR SDRAMを製品化しました。

  今回製品化した3シリーズは、「HM5464401DTTシリーズ」が×4ビット構成、「HM5464801DTTシリーズ」が
×8ビット構成、「HM5464161DTTシリーズ」が×16ビット構成で、0.25μmプロセスを採用しています。
  また、DDR方式の採用により、データの入出力についてはクロックの立ち上がり、立ち下がりの両エッジ
に同期し、クロックの2倍の周波数でデータ転送が可能です。
  3シリーズとも動作周波数が83MHz、100MHz、125MHz、133MHzに対応しており、データ転送レートは動作
周波数の2倍の166Mbps/ピン、200Mbps/ピン、250Mbps/ピン、266Mbps/ピンを実現しています。
  なお、高速動作を実現するために、インタフェースにはSSTL-2(注3)を採用し、さらに高速かつ低消費電
力化を図るため、電源電圧2.5Vを使用しています。

 今後は、さらにDDR DRAMの高速化、大容量化を進めていきます。

(注1) bps:bit per second。1秒間に通信できるビット数を表わす。
(注2)ミル(mil):100ミルは2.54mm。
(注3) SSTL:Stub Series Terminated Logic

<応用製品例>
・ハイエンドワークステーション/サーバー用のメインメモリ、拡張用メモリ
・ハイエンドパソコンのボード上実装メモリ
・画像処理等用バッファメモリ
・高速DRAMキャッシュメモリ

<価 格>
製 品 名動作周波数構 成サンプル価格(円)
HM5464401DTT-1283MHz4M× 4×4バンク2,000
HM5464401DTT-10100MHz4M× 4×4バンク2,000
HM5464401DTT-8125MHz4M× 4×4バンク2,000
HM5464401DTT-7H133MHz4M× 4×4バンク3,000
HM5464801DTT-1283MHz2M× 8×4バンク2,000
HM5464801DTT-10100MHz2M× 8×4バンク2,000
HM5464801DTT-8125MHz2M× 8×4バンク2,000
HM5464801DTT-7H133MHz2M× 8×4バンク3,000
HM5464161DTT-1283MHz1M×16×4バンク2,000
HM5464161DTT-10100MHz1M×16×4バンク2,000
HM5464161DTT-8125MHz1M×16×4バンク2,000
HM5464161DTT-7H133MHz1M×16×4バンク3,000
<仕 様>
項 目HM5464401DTTHM5464801DTTHM5464161DTT
製品構成4M×4×4バンク2M×8×4バンク1M×16×4バンク
電源電圧2.5V
動作周波数83MHz/100MHz/125MHz/133MHz
データ転送レート166Mbps/ピン / 200Mbps/ピン / 250Mbps/ピン/266Mbps/ピン
バースト長2/4/8
バーストシーケンスシーケンシャル/インターリーブ
CASレイテンシー 2/2.5
リフレッシュ4,096cycles/64ms
パッケージ400-mil 66-pin plastic TSOP-II
プロセス0.25μm CMOS

                                                                         以  上


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