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News Release

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平成10年3月24日

ロシアでパワー半導体の生産合弁会社を設立

  日立製作所は、この度、ロシア・サンクトペテルブルグ市に、パワー半導体(大容量半導体)である
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を生産する合弁会社「日立スベトラーナ・パワー・エレク
トロニクス社」を設立することを決定しました。新会社は、平成10年中に出荷を開始し、2〜3年以内
に年産10万個の生産体制を築く計画です。主に鉄道車両駆動装置(インバータなど)の市場を対象
に、販売していく計画です。

  ソ連崩壊後のロシアでは、インフラ整備が積極的に行われており、特に交通分野では1996年に承
認された連邦政府の鉄道車両近代化プログラムが推進されています。車両モータ駆動装置につい
てもパワー半導体としてIGBTを用いたインバータ方式を採用する傾向が顕著です。
  当社は、1992年に世界に先駆けて2kVの高耐圧IGBTを開発し、インバータ電車に実用化しました。
その後、3.3kVの製品も実用化しています。ロシアの鉄道車両向けにも、1996年よりIGBTを日本か
ら納入しています。これは、日本における実績および高い信頼性が評価されたものです。

  当社では、最近のロシア経済の好転による交通分野での車両近代化プログラムの加速に伴い、高
耐圧IGBT需要も拡大し、大きな市場になると考えています。また最近の日本とロシアとの関係改善
に伴い、当社としてもロシアでの車両近代化に貢献すべく、直接投資によるIGBTの現地生産を計画
し、検討してきました。その結果、ロシア国内において半導体生産で実績のある、同国サンクトペテル
ブルグ市のスベトラーナ社と合弁会社を設立することで合意し、去る3月20日、モスクワ市において、
合弁会社設立契約書に調印しました。

  合弁会社名は「日立スベトラーナ・パワー・エレクトロニクス社」で、当社が51%、スベトラーナ社他
ロシア側が49%を出資する予定です。
新会社では、2kVおよび3.3kVの高耐圧IGBTモジュールを中心に生産します。当面は、日本から
主要部品を持ち込み、現地で組み立てて、鉄道車両モータ駆動装置であるインバータ等の市場を対
象に販売していく計画です。
  その後、生産規模拡大に従って、今後増資を行い、2〜3年後には、年産10万個の規模にする計
画です。

【合弁会社概要】
1.会社名       ZAO Hitachi-Svetlana Power Electronics
2.所在地       ロシア連邦サンクトペテルブルグ市
3.資本金       当初約2,200万円(100万ルーブル)
4.出資比率     日立製作所 51%、ロシア側(スベトラーナ社他)49%
5.設立時期     1998年4月設立予定
6.主な生産品目 絶縁型バイポーラトランジスタ(IGBT)モジュール


                                                                       以  上


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