日立製作所は、このたび、パソコンやワークステーション等のメインメモリ、拡
張用メモリ向けに、アクセス時間60nsの128MビットEDO DRAM「HM5113805TDシリー
ズ(×8ビット構成、4kリフレッシュ)」、「HM5113165TDシリーズ(×16ビット構成、
4kリフレッシュ)」と、PC66MHzバス対応の128MビットシンクロナスDRAM(以下 
SDRAM)「HM5212805TDシリーズ(×8ビット構成)」、「HM5212165TDシリーズ(×16
ビット構成)」を製品化しました。EDO品は平成10年1月末より、SDRAM品は2月より
それぞれサンプル出荷を開始します。
  本シリーズは、当社の64MビットのEDO DRAMやSDRAM２チップを独自の積層技術に
より、一括モールドして標準の400ミル(注)TSOPパッケージに収めており、業界に
先駆けて128Mビットの大容量を実現しています。
EDO品は64MビットDRAMと同一のパッケージ、SDRAM品は128MビットSDRAMと256Mビ
ットSDRAMで採用される400ミルTSOP54ピンと同一のパッケージを採用しています。

  近年、パソコンなど情報機器におけるメモリの大容量化が進んでおり、ノートパ
ソコン市場ではメインメモリの容量が現在の32Mバイトから、平成10年中旬には64M
バイト以上になると予想されています。しかし、パソコン自体の小型化も要求され
ており、メモリの搭載スペースは拡大できない状況となっています。
  そこで、このような限られたスペースで大容量を実現するために、当社では積層
技術による128MビットDRAMを製品化しました。

  EDO品の「HM5113805TDシリーズ」は×8ビット構成で、×4ビット構成の64Mビッ
トEDO DRAM２チップをパッケージ内部で積層し、一つのパッケージに一括モールド
しています。また、「HM5113165TDシリーズ」は×16ビット構成で、×8ビット構成
の64MビットEDO DRAMを2チップ搭載しています。
  SDRAM品の「HM5212805TDシリーズ」と「HM5212165TDシリーズ」では、それぞれ
×8ビット構成と×16ビット構成品で、×4ビット構成と×8ビット構成の64Ｍビッ
トSDRAMを2チップ搭載しています。
　本シリーズは、すべて64Mビット製品と同一のパッケージ(400ミルTSOP)を使用し
ているため、64Mビット製品との置き換えが容易です。これにより、メモリの実装ス
ペースを増すことなく、2倍のメモリ容量を容易に実現することが可能です。
　なお、EDO品では、8kリフレッシュ品も用意しています。

　今後は、さらに製品ラインアップの拡充を進めていきます。
(注)ミル(mil)：100ミルは2.54mm。　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


＜応用製品＞
(１)ノートパソコンのオンボード実装メモリ
(２)パソコンやワークステーションのメインメモリ、拡張用メモリ

＜価　格＞　
・128MビットEDO DRAM
製　品　名 　　     構 成     リフレッシュ周期   サンプル価格(円)
HM5113805TD-6      16M×8         4k/64ms             7,500

HM5113165TD-6      8M×16            "                  "

HM5112805TD-6      16M×8         8k/64ms               "

HM5112165TD-6      8M×16            "                  "

・128MビットSDRAM
製　品　名 　   　     構 成      リフレッシュ周期   サンプル価格(円)
HM5212805TD-10   4M× 8×４バンク     4k/64ms          10,000

HM5212165TD-10   2M×16×４バンク        "                "




                                                     以  上