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ニュースリリース | |
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| 2001年5月23日 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 株式会社 日立製作所 TRW社 |
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日立製作所 半導体グループ(グループ長＆CEO 長谷川 邦夫、以下日立)とTRW社の半導体新組織Velocium(プレジデント：ドワイト・ストレイト、以下ベロシウム)はこのたび、第３世代携帯電話や無線機器向けに高性能ハイパワーアンプを共同で設計・開発する契約を締結しました。本契約に基づき、両社はベロシウムの燐化インジュウム(InP)半導体(注１)技術を活用した第3世代向けハイパワーアンプを共同開発し、量産時期と予想される２００２年後半に日立が量産を開始する予定です。 両社が共同開発するハイパワーアンプは、第３世代携帯電話のW-CDMA方式や、インターネットアクセスを可能とする次世代無線通信、高速データ通信及び高速データ処理のアプリケーションに最適です。調査会社ガートナーグループのデータクエスト社によると、２００５年には携帯電話の出荷は７億台に拡大し、第３世代の製品は全体の１０％を占めると予測しています。 InP半導体を活用すれば、W-CDMA向けハイパワーアンプの消費電力効率を５０％以上に向上でき、W-CDMA方式で求められる信号品質の提供が可能になります。さらに日立のモジュール技術を組み合わせることで、高性能かつ低コストな小型パッケージが実現します。これにより、長時間の通話や高速データ通信など高品質なサービスが可能になります。 ベロシウムは日立との共同開発により、InP半導体製品におけるリーディングカンパニーとしての地位を確立していきます。また、日立はベロシウムのInP技術を組み込むことによって、過去に例のない高性能で低コストなハイパワーアンプを製品化し、携帯電話向け半導体事業の拡大を図ります。 日立はInPを使用したハイパワーアンプを２００２年初めに携帯電話メーカにサンプル出荷し、第３世代携帯電話の本格量産時期である２００２年後半には、携帯電話メーカにハイパワーアンプを供給していく予定です。 (注１)燐化インジュウム(InP)半導体 化合物半導体の1種。２.５世代、第３世代の携帯電話で使われるハイパワーアンプの低消費電力化を始めとした各種性能を向上できる特性を持つ。 株式会社 日立製作所の概要
TRW社の概要
ベロシウムの概要
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以 上 |
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