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平成12年7月27日
低消費電力、高集積のカスタムLSI「HG76Cシリーズ」を製品化
- システムLSIプラットフォーム「SOCplanner」を採用し、
開発期間短縮を実現 -
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  日立製作所 半導体グループ(グループ長&CEO 石橋 正)は、このたび、携帯型の情報端末やデジタ
ル民生機器等向けに、低電圧で低消費電力を実現したカスタムLSI「HG76Cシリーズ」を製品化し、平成
12年7月から受注を開始します。

  「HG76Cシリーズ」は、当社従来製品に比較して、低消費電力化、低スタンバイ電流化を実現した上、
集積度、動作周波数を大幅に改善しています。さらに、当社のシステムLSIプラットフォーム
「SOCplanner」を採用した最初のカスタムLSIとして、プラットフォームのユーザへのオープン化を開
始します。これにより、ユーザは、当社設計者と同じ「SOCplanner」を利用し、設計の下流工程から
上流工程への後戻りを抑止する「One Pass 設計手法」で、カスタムLSIを確実にしかも短期に開発でき
ます。

  当社は、これまでカスタムLSIとして「HG73Cシリーズ」および高集積・低消費電力の「HG75Cシリー
ズ」を製品化し、CPUコアやメモリ、アナログモジュールなどを搭載して市場に投入し、多様なニーズ
に応えてきました。そして、今回、低消費電力、低スタンバイ電流技術をさらに発展させ、大規模で複
雑化するシステムLSIに対応するため、「HG76Cシリーズ」を製品化しました。

  本製品は、携帯型の情報端末やデジタル民生機器などのシステム向けに低消費電力化・低電圧化を追
求しています。コア電源は1.8Vと1.5Vの低電圧で、消費電力は当社「HG75Cシリーズ」と比較して、
1/2(1.5V動作で0.02μW/MHz/ゲート)としたほか、Vbb(基板電位)用電源を内蔵し、Vbb制御によって
スタンバイモード時の低消費電力を実現しています。さらに、集積度が3倍(90kゲート/mm2)の高集積
ロジック、2倍(150kビット/mm2)の大容量メモリ、1.5倍(600MHz)の動作周波数を実現しています。さ
らに、メモリは大容量固定SRAMモジュール(最大2Mビット/モジュール)と、コンパイルドSRAM(ビッ
ト長、ワード長を容易に変更可能)をラインアップしています。
設計はSOCplannerベースの設計環境で行い、サインオフツールとしては、米国Cadence社の
Verilog-XL(TM)、NC-Verilog(TM)(注1)、米国Synopsys社のVCS(TM)(V4)(注2)をサポートしています。

  今後は、集積度をさらに30%以上向上した高集積セルを準備する他、IP・コアとして、高速(80MHz)
および高精度(16bit)のADC/DAC、低消費電力で高速なSH2-DSPコア、USBファンクション、 USBホス
ト、IEEE1394、Ethernetコントローラ、JPEG、MPEG、暗号モジュールIPなどを準備します。

 (注1)Verilog-XL、NC-Verilog は、米国 Cadence Design Systems, Inc.の商標です。
 (注2)VCSは、米国 Synopsys, Inc.の商標です
■参考価格
ゲート数サンプル価格(円/個)パッケージ
1000万ゲート60,000T-HBGA400
(Tape BGA400ピン、ファンアウトタイプ)


                                                                         以 上




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