日立製作所 半導体グループ(グループ長＆CEO 石橋 正)は、このたびノートPCな
どの携帯機器や通信機器の小型電源用として、ボンディングワイヤレス構造を採
用することでパワーMOS FETの超低オン抵抗（注1）と低熱抵抗を実現する薄型新
パッケージ「LFPAK」（当社の外形コード名）を開発しました。
JEDEC標準の小型薄型パッケージSOP-8に対しオン抵抗を約20％削減できるため、
当社最新の0.5μmパワーMOS FETプロセス (注2)を採用した場合、30V耐圧で
2.3mΩ（typ）の低オン抵抗パワーMOS FETが実現できます。
今回は本パッケージを採用したパワーMOS FETの第一弾として、30V耐圧では業
界最小のオン抵抗4.2mΩ（typ）を実現した「HAT2096H」を製品化、平成12年7月
からサンプル出荷を開始します。
当社では、これまで機器の小型、軽量、高効率化に対応するため、チップ自身
の性能向上に加えSOP-8（外形サイズ：5.0mm×6.2mm×1.75mm(max)）の小型パ
ッケージを採用したパワーMOS FETを量産しています。しかし、電池を主電力と
する携帯機器に要求される小型、軽量、長時間動作や通信機器に要求される小型、
高効率化を実現するため、これらの電力を制御するパワーMOS FETには、一層の
低オン抵抗化と、高速動作かつ低ノイズ化、小型軽量化、低熱抵抗化が強く望
まれています。
そこで、今回、SOP-8パッケージと同一基板占有面積でありながら、厚さを1.1
mmと薄型化し、オン抵抗を約２０％削減できる新パッケージ「LFPAK」を開発
しました。
本パッケージは、従来使用されていたボンディングワイヤを廃し、端子となる
導体電極版をシリコンチップ上に直接接合することで、ワイヤに起因していた抵
抗成分およびインダクタンスを極限まで抑える(LossFree)ことに成功し、また同
時に薄型化も達成しています。また、SOP-8パッケージとは異なり、ドレイン端
子を外形裏面に露出する構造とすることで、熱抵抗も大幅に改善しています。
さらに、本パッケージは、SOP-8のフットプリントにも対応しています。
第一弾製品である「HAT2096H」は、NチャネルのパワーMOS FETで、当社の低オ
ン抵抗と高速動作を両立した最新の0.5μmパワーMOS FETプロセスのチップを搭
載し、30V耐圧で業界最小のオン抵抗4.2mΩ（typ）を実現しています。ノートPC
のCPU用電源回路や、通信機器の電源部の小型化、低消費電力化が図れます。
また、本パッケージ「LFPAK」に搭載可能な最大寸法の0.5μmプロセスのパワー
MOS FETを搭載した場合には、2.3mΩ（typ）という超低オン抵抗の実現も可能で
す。
納入形態としては、エンボステーピング梱包を標準として用意しており、自動
装着機に対応しています。今後は、超低オン抵抗2.3mΩ（typ）品を製品化すると
ともに、20Vから40V品のシリーズ展開を行いラインアップ充実を図っていく予定
です。
(注1)オン抵抗：パワーMOS FETが動作するときの動作抵抗。パワーMOS FETの性
能を左右する最も重要なパラメータで、値が小さいほうが高性能である。
(注2) 0.5μmパワーMOS FETプロセス：オン抵抗と入力容量とスイッチングスピ
ードを同時に改善した当社の第7世代のパワーMOS FETプロセス。
■応用機器例
ノートPCのCPU用電源など
通信機器用電源（同期整流用）
■ 価 格
| 製品名 | サンプル価格（円 |
| HAT2096H | 350 |
■ 仕 様
Ta=25℃における値
製品名 | 外 形 | タイプ | 最大定格 | オン抵抗ＲDS
(on)(mΩ) |
| ＶDSS(V) | ID(A) | pch(W) | ＶGS=10V | ＶGS=4.5V |
| HAT2096H | LFPAK | NチャンネルFET | 30 | 40 | 20* | 4.2（typ） | 6.2（typ) |
＊Tc=25℃における値
以上
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