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SiC

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用語解説

SiC(炭化ケイ素)は、破壊電界強度がSiの約10倍という特性を持ち、デバイスの厚さを1/10まで薄くできることから、導通時の抵抗損失を大幅に低減可能。デバイスの小型化、インバータの冷却系の簡素化、インバータの高効率化が期待されている。

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