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IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor

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用語解説

〔画像〕3.3kV IGBTチップ

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの略。高速にスイッチング(電流の制御による回路のオン・オフ)ができるという特性を持つ、大電流・高耐圧に適したトランジスタ。電力変換、モータ制御などにおいて大電力を制御するためのパワー半導体デバイスとして、UPS(無停電電源装置)、産業用ロボット、鉄道、電気自動車などに用いられている。

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