ラッチアップフリー構造で用途を大きく広げます。
日立高耐圧モノリシックICは、独自の誘電体分離技術により開発したインテリジェントパワーICです。
ラッチアップがない構造にできるため、高耐圧、大電流出力回路とロジック回路が混在していてもワンチップ化が可能。
一般のディスクリート構成基板、ハイブリッドICに比べ、小型化が図れます。
図のように誘電体分離技術により開発した「日立高耐圧モノリシックIC」は、一般 のPN接合分離と異なり、SiO2膜で素子間を分離。ラッチアップ現象がない構造にできるため、論理回路とパワースイッチ部とのワンチップ化、高耐圧化が可能になりました。 また、回路レイアウトが容易なため、多種多様なデバイス、回路を組込むことができ、カスタム仕様にも柔軟に対応できます。
