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高精度レチクル対応の電子線マスク描画装置

―HL-900Mシリーズ―

Newly Developed Electron Beam Mask Writing System

　　　　　　　　　　　　　松岡　玄也　日立製作所　計測器グループ　エレクトロニクスシステム本部
　　　　　　　　　　　　　水野　一亥　日立製作所　計測器グループ　エレクトロニクスシステム本部
　　　　　　　　　　　　　中原　哲二　日立製作所　計測器グループ　エレクトロニクスシステム本部
　　　　　　　　　　　　　佐藤　秀寿　日立製作所　中央研究所　AT部
	

　走査電子顕微鏡“S-7840”で観察した，OPC寸法300 nm，ドーズ量25μC/cm²のZEP7000レジストのOPCパターンを示す。
　電子線を用いた場合，レーザ光と比較して，OPCパターンなどの，より微細なパターンを高分解で描画できる。

　半導体の微細化は加速化され，リソグラフィー工程に使用されるレチクルへの要求仕様も急速に高精度なものとなっている。多くの半導体メーカーはすでに130 nmノードの開発を行っており，レチクル製造用の電子線描画装置に対しても，デバイストレンドに沿った高精度化が要求されている。

　日立製作所は，1999年12月に，ユーザーの高精度レチクルへの要求にこたえるために開発した電子線マスク描画装置「HL-900Mシリーズ」を発表した。この装置では，従来の「HL-800M型」を基に，新電子光学系，低ひずみステージ，大容量対応並列処理機能などの新技術の導入により，高精度化と高スループット化を図っている。また，先端マスクの実現には，描画装置だけでなくプロセスも重要な要因であり，その一つとして，化学増幅型レジストの活用を進めている。