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システムLSIを支えるプロセス技術

Process Technologies for System LSIs

　　　　　　　　　　　　　池田　修二　日立製作所　半導体グループ　半導体技術開発統括本部
　　　　　　　　　　　　　山中　俊明　日立製作所　中央研究所　先端技術研究部
　　　　　　　　　　　　　尾内　享裕　日立製作所　中央研究所　ULSI研究部　工学博士
	

注１：（計画中），（製品化）
注２：略語説明

RF（Radio Frequency）
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）
DRAM（Dynamic Random Access Memory）
ASIC（Application Specific IC）
CPU（Central Processing Unit）
DSP（Digital Signal Processor）
F-ZTAT（Flexible Zero Turn-around Time）
μCBIC（Micro Cell Based IC）

　SuperHシリーズRISC（縮小命令セットコンピュータ）プロセッサをコアとして，先端CMOS（相補形MOS）トランジスタのほか，メモリやアナログデバイスの混載プロセス技術により，高性能，低消費電力，小型化を推進している。

　マルチメディアやモバイル分野の拡大を支えるシステムLSIの製造では，高性能化，低消費電力化，および小型化のために，微細加工技術をはじめとするプロセス技術の進展が不可欠である。

　日立製作所は，0.1μm時代に先駆けてこれらの技術を開発し，高性能トランジスタの試作に成功した。この技術をプラットフォームとして，高周波やアナログ信号処理，メモリ混載LSIなど幅広い製品群に展開し，ディジタル情報機器の旺（おう）盛なニーズにこたえていく。