日立製作所 半導体グループ(グループ長＆CEO 石橋 正)は、このたび、パソコンやワークステーシ
ョン、サーバなどのメインメモリ用途として、業界で初めて256MビットDDR(注1)シンクロナスDRAM
(以下、DDR SDRAM)を搭載した、大容量512Mバイトの184ピンDDR SDRAM DIMM(Dual In-line Memory 
Module)「HB54A5129FNシリーズ(Unbufferedタイプ)」と「HB54A5129F1シリーズ(Registeredタイ
プ)」を製品化し、平成12年1月からサンプル出荷を開始します。本製品は、DDR方式により、毎秒2.1G
バイトの高速データ転送を実現しています。
　また、256Mバイトの184ピンDDR SDRAM DIMM「HB54A2569FMシリーズ(Unbufferedタイプ)」、
「HB54A2569F1シリーズ(Registeredタイプ)」もあわせて製品化し、同年1月からサンプル出荷を開始
します。

　近年、ネットワークの高速化やマルチメディアに対応するため、情報機器システムの高速化、高性能
化が進んでおり、これらの機器に搭載されるCPUやメモリにもさらなる性能向上が求められています。
なかでも、メインメモリに使用されるDRAMに対しては、データ転送レートの向上が強く要求されており、
当社ではすでに1ピン当り毎秒266Mビットおよび200Mビットの高速動作を実現したDDR SDRAMを製品化し
ています。そして今回、パソコンなどのメインメモリ用途として、同DDR SDRAMを搭載した512Mバイト
および256Mバイトの大容量モジュールを製品化しました。

  512Mバイト品は64Mワード×72ビット構成、256Mバイト品は32Mワード×72ビット構成です。動作周
波数は133MHzと100MHzであり、DDR方式によるデータ入出力により、毎秒2.1Gバイトおよび1.6Gバイト
のデータ転送レートを実現しています。電源電圧、入出力電圧は2.5Vで、さらに入出力インタフェース
はSSTL_2(注2)を採用したため、低消費電力かつ高速動作を実現できます。外形は、JEDEC標準の184ピ
ンソケットタイプDIMMです。
　本製品により、パソコンをはじめとした各種情報機器において、DDR SDRAMが高密度実装できるため、
大容量で高速なシステムの実現が可能となります。

　今後は、当社のTCP(Tape Carrier Package)積層実装技術を用いた1Gバイト品を製品化していくとと
もに、DDR SDRAMのさらなる高速化、大容量化も推進していきます。

(注1) DDR：Double Data Rateの略で、外部クロックの立ち上がり、立ち下がりに同期させてデータの
      入出力を行う方式。
(注2) SSTL_2：Stub Series Terminated Logic for 2.5Vの略で、JEDECで標準化された小振幅な高
      速インタフェースの一つ。


■応用製品例
・パソコン、ハイエンドワークステーション、サーバ用のメインメモリ、拡張用メモリ

                                                                           以 上