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平成11年7月12日

業界で初めて256MビットDDRシンクロナスDRAMを製品化

−ハイエンドワークステーションやサーバなどのメインメモリ用に
1ピン当り毎秒266Mビットの高速データ転送レートを実現−

 日立製作所 半導体グループ(グループ長&CEO 石橋 正)は、このたび、ハイエンドワークステーションや
サーバ、パソコン等のメインメモリ、画像およびキャッシュ用メモリとして、業界で初めて、256Mビット
DDR(Double Data Rate)シンクロナスDRAM(以下、DDR SDRAM)「HM5425401BTTシリーズ(×4ビット構成)」、
「HM5425801BTTシリーズ(×8ビット構成)」、「HM5425161BTTシリーズ(×16ビット構成)」を製品化し、
平成11年10月からサンプル出荷を開始します。
 本製品は、0.18μm CMOSプロセスの採用と、外部クロックの立ち上がり、立ち下がりに同期させてデータ
の入出力を行うDDR方式により、1ピン当り毎秒266Mビット(133MHzクロック周波数時)とPC133対応SDRAMの
2倍のデータ転送レートを実現しました。
 パッケージは、JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)標準の66ピン400ミル(注1)
TSOP-IIパッケージを採用しています。
     
 近年、パソコンやワークステーションなどの情報機器システムの高速化、CPUの高性能化が進んでおり、
メインメモリや画像、キャッシュ用メモリとして使用されるDRAMに対しても、大量データを高速に処理する
ために、データ転送レートの向上が望まれています。そこで、今回、このような市場のニーズに対応し、次
世代を狙った大容量高速DRAMとして、256MビットDDR SDRAMを製品化しました。
     
 「HM5425401BTTシリーズ」は×4ビット構成、「HM5425801BTTシリーズ」は×8ビット構成、「HM5425161BTT
シリーズ」は×16ビット構成となっており、3シリーズともに0.18μmプロセスを採用しています。また、DDR
方式の採用により、データの入出力はクロックの立ち上がり、立ち下がりの両エッジに同期し、クロックの
2倍の周波数でデータを転送できます。
 さらに、動作周波数は100MHz、133MHzに対応しており、データ転送レートは動作周波数の2倍となる200
Mbps/ピン、266Mbps/ピンを実現しています。
 なお、インタフェースは、高速動作を実現するためにSSTL-2(注2)を採用しました。また、高速化および
低消費電力化を図るために電源電圧2.5Vを使用しています。
     
 今後は、本製品を搭載したモジュールを製品化するとともに、DDR SDRAMの高速化、大容量化を進めてい
きます。
     
 (注1)ミル(mil):100ミルは2.54mm。
 (注2) SSTL:Stub Series Terminated Logic
     
■応用製品例
  ・ハイエンドワークステーション、サーバ用のメインメモリ
  ・画像処理用バッファメモリ
  ・キャッシュメモリ

■価 格
製 品 名動作周波数構 成サンプル価格(円)
HM5425401BTT-10100MHz(PC200)16M× 4×4バンク24,000
HM5425401BTT-75A133MHz(PC266,CL=2)16M× 4×4バンク28,000
HM5425401BTT-75B133MHz(PC266,CL=2.5)16M× 4×4バンク26,000
HM5425801BTT-10100MHz(PC200)8M× 8×4バンク24,000
HM5425801BTT-75A133MHz(PC266,CL=2)8M× 8×4バンク28,000
HM5425801BTT-75B133MHz(PC266,CL=2.5)8M× 8×4バンク26,000
HM5425161BTT-10100MHz(PC200)4M×16×4バンク24,000
HM5425161BTT-75A133MHz(PC266,CL=2)4M×16×4バンク28,000
HM5425161BTT-75B133MHz(PC266,CL=2.5)4M×16×4バンク26,000
 

■仕 様
項目HM5425401BTTHM5425801BTTHM5425161BTT
製品構成16M×4×4バンク8M×8×4バンク4M×16×4バンク
電源電圧2.5V±0.2V
動作周波数100MHz/133MHz
データ転送レート200Mbps/ピン/266Mbps/ピン
バースト長2/4/8
バーストシーケンスシーケンシャル/インターリーブ
CASレイテンシ2/2.5
リフレッシュ8Kサイクル/64ms
パッケージ400-mil 66-pin plastic TSOP-II
プロセス0.18μm CMOSプロセス
     
     
                                             以  上


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