日立製作所は、このたび、パソコンやワークステーション(WS)などのメインメモリ向けとして、100
MHzメモリバスのCASレイテンシ(注１)2に対応した64MビットシンクロナスDRAM(SDRAM)
「ＨＭ５２６４１６５ＤＴＴ-Ａ６０(×16ビット構成)」、「ＨＭ５２６４８０５ＤＴＴ-Ａ６０(×8ビット構成)」、
「ＨＭ５２６４４０５ＤＴＴ-Ａ６０(×4ビット構成)」を製品化し、平成10年6月からサンプル出荷を開始します。
本製品は、当社のCASレイテンシ3対応SDRAMから10nｓ高速化した36nｓ動作のランダムアクセスを実
現、高速データ転送が可能です。
  また、本SDRAMを搭載したモジュールとして、64MバイトSDRAMモジュール「ＨＢ５２Ｅ８８ＥＭ-Ａ６Ｄ
(×64ビット構成)」、「ＨＢ５２Ｅ８９ＥＭ-Ａ６Ｄ(×72ビット構成)」、128MバイトSDRAMモジュール
「ＨＢ５２Ｅ１６８ＥＮ-Ａ６Ｄ(×64ビット構成)」、「ＨＢ５２Ｅ１６９ＥＮ-Ａ６Ｄ(×72ビット構成)」を併せて製品化
し、平成10年6月からサンプル出荷を開始します。

  現在、パソコンに用いられるCPUでは、動作速度350MHz以上の製品が登場しており、そこには100
MHzメモリバスのDRAMが使用されています。当社では、すでに100MHzメモリバスにCASレイテンシ3
で対応する64MビットSDRAMとSDRAMモジュールを量産中ですが、今回さらに高速化に対応したCAS
レイテンシ2対応品を製品化しました。

  64MビットSDRAM「ＨＭ５２６４１６５ＤＴＴ-Ａ６０」、「ＨＭ５２６４８０５ＤＴＴ-Ａ６０」、
「ＨＭ５２６４４０５ＤＴＴ-Ａ６０」は、0.25μｍCMOSプロセスと内部降圧電源回路の採用により、高速化
かつ低消費電流を実現しました。CASレイテンシ2でのアクセスタイムを6nｓとすることで、ランダムア
クセスは当社従来のCASレイテンシ3対応品の46nｓに対し、36nｓと高速化を実現しています。また、
バースト電流(Icc4)を従来品の110mA(×8ビット構成品)から約64％の70mA(×8ビット構成品)に削減
し、低消費電力化を図りました。
　「ＨＭ５２６４１６５ＤＴＴ-Ａ６０」は1Mワード×16ビット×4バンク構成、「ＨＭ５２６４８０５ＤＴＴ-Ａ６０」は
2Mワード×8ビット×4バンク構成、「ＨＭ５２６４４０５ＤＴＴ-Ａ６０」は4Mワード×4ビット×4バンク構成
で、JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)標準仕様に準拠しています。
　なお、パッケージは54ピン、400milのTSOP-IIです。

  また、本SDRAMを使用し、100MHzメモリバスにCASレイテンシ2で対応した168ピンDIMM(Dual
 In-line Memory Module)として、64Mバイトの「ＨＢ５２Ｅ８８ＥＭ-Ａ６Ｄ」、「ＨＢ５２Ｅ８９ＥＭ-Ａ６Ｄ」と、
128Mバイトの「ＨＢ５２Ｅ１６８ＥＮ-Ａ６Ｄ」、「ＨＢ５２Ｅ１６９ＥＮ-Ａ６Ｄ」を製品化しました。共にJEDEC標
準仕様に準拠しています。
  「ＨＢ５２Ｅ８８ＥＭ-Ａ６Ｄ」は8Mワード×64×1バンク構成、「ＨＢ５２Ｅ８９ＥＭ-Ａ６Ｄ」はWS等に適した
ECC(注2)対応の8Mワード×72×1バンク構成となっており、プリント回路基板に×8ビット構成の
SDRAM「ＨＭ５２６４８０５ＤＴＴ-Ａ６０」を8個(ＨＢ５２Ｅ８８ＥＭ)、または9個(ＨＢ５２Ｅ８９ＥＭ)実装してい
ます。「ＨＢ５２Ｅ１６８ＥＮ-Ａ６Ｄ」は8Mワード×64×2バンク構成、「ＨＢ５２Ｅ１６９ＥＮ-Ａ６Ｄ」はWS等に
適したECC対応の8Mワード×72×2バンク構成となっており、プリント回路基板に×8ビット構成の
SDRAM「ＨＭ５２６４８０５ＤＴＴ-Ａ６０」を16個(ＨＢ５２Ｅ１６８ＥＮ)、または18個(ＨＢ５２Ｅ１６９ＥＮ)実装し
ています。
　さらに、モジュール基板内のクロック配線長(モジュール接栓とSDRAM単品間)の均等化を図り、モ
ジュール内でのクロックスキューを最小限に抑制しています。また、クロック入力とデータ信号線に抵
抗を挿入することで、信号の反射を抑制し、100MHzの高速動作が可能です。
　なお、モジュール基板は6層設計を採用し、電源、グランドプレーンを十分取ることで、電源インピー
ダンスを低く抑え、高速動作によるノイズを低減しています。

(注1) CASレイテンシ：リードコマンド入力から、データ出力までのクロック数を示す。本製品では2と3
        をサポートしている。
(注2) ECC(Error Checking and Correction)：メモリ内のデータエラー発生有無をチェックする機能と
        同時にエラーを補正する機能。

＜応用製品＞
　パソコンやワークステーションのメインメモリなど

＜価　格＞
・６４ＭビットシンクロナスＤＲＡＭ
          製　品　名                        構　成              サンプル価格(円)
  ＨＭ５２６４１６５ＤＴＴ-Ａ６０   １Ｍ×１６×４バンク         2,500
  ＨＭ５２６４８０５ＤＴＴ-Ａ６０   ２Ｍ×８×４バンク           2,500
  ＨＭ５２６４４０５ＤＴＴ-Ａ６０   ４Ｍ×４×４バンク           2,500

・シンクロナスＤＲＡＭモジュール
         製　品　名                      構　成       サンプル価格(円)
　ＨＢ５２Ｅ８８ＥＭ-Ａ６Ｄ       ８Ｍ×６４ビット        22,000
　ＨＢ５２Ｅ８９ＥＭ-Ａ６Ｄ       ８Ｍ×７２ビット        24,500
　ＨＢ５２Ｅ１６８ＥＮ-Ａ６Ｄ     １６Ｍ×６４ビット      44,000
　ＨＢ５２Ｅ１６９ＥＮ-Ａ６Ｄ     １６Ｍ×７２ビット      49,000



                                                                                              以  上