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平成8年4月8日

エピタキシャルウェハーの製造拠点を新設

−ひたちなか市において総額約120億円を投資−

 日立製作所はこのたび、半導体事業において、重要基幹材料であるウェハ
ーの生産体制の強化を図るため、茨城県ひたちなか市において総額約120
億円の投資を行い、メモリ等のMOS(*1)系デバイスの主要原材料であるミ
ラーウエハーを、歩留まり改善に効果のあるエピタキシャルウェハー(*2)に加
工する工場の新設を決めました。
 シリコンウェハーは先端デバイスに必要不可欠な重要基幹材料であり、半
導体メーカー各社は現在、メモリ等MOS系デバイスの主要原材料としてミ
ラーウェハーを使用しています。
しかしながら、現在メモリ等で主流となっている線幅0.5ミクロン以降、よ
り微細化が進むにつれて、MOS系デバイスの歩留り、特性改善に効果を発
揮するエピタキシャルウェハーの使用を検討しています。
 当社では、従来から、子会社である日立東京エレクトロニクス(株)の山
口県柳井地区、山梨県甲府地区の工場においてシリコンウェハーを生産し、
自社への供給の安定化を図ってきました。しかし、今後微細化が進み、MOS
系デバイスに本格的にエピタキシャルウェハーが使用されるようになるとそ
の供給不足が懸念されます。
 このような状況に対応し、平成8年から9年にかけて日立東京エレクトロニ
クス(株)が、総額約120億円の投資を行い、エピタキシャルウェハーを生
産する新工場建設を決定しました。今回の投資により、本年4月より着工し、
来年度上期より生産を開始、平成11年には10万枚/月(8インチ換算)の能
力を持つ計画です。
 今後、線幅0.5ミクロンより微細な加工を必要とするMOSメモリ、マイコン、
ASIC等の製品に順次適用し、製品競争力のアップに最大限活用していきます。
(*1)MOS:(Metal Oxide Semiconductor)半導体の表面に酸化膜を形成しその
上に金属を つけた半導体。
(*2)エピタキシャルウェハー:ミラーウェハー上にシリコン単結晶膜を気相成長
させたウェハー。現在では バイポーラ製品に使わ
れているが、将 来CMOSの0.5ミクロンより微
細な高集積LSIの歩留り改善に応用さ れる。
<日立東京エレクトロニクス(株)の概要>
  ・設  立  :昭和38年5月
  ・資 本 金 :4億円
  ・代 表 者 :白井 禄人(取締役社長)
  ・事業内容  :半導体、半導体製造装置、シリコンウェハーの
製造・販売
  ・従業員数  :約2,000名
  ・本社所在地 :東京都青梅市藤橋3−3−2
<今回の計画>
  ・所在地  :茨城県ひたちなか市の日立工場素形材センタ
敷地内
  ・投資金額 :約120億円
  ・生産能力 :約10万枚/月(8インチウェハー換算)
  ・生産開始 :平成9年度上期(平成11年フル生産)
  ・生産品目 :エピタキシャルウェハー
  ・従業員  :量産時約250名
  ・クリーンルーム面積:3,060m2
−以 上−

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