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2001年10月29日

 

 
ノートパソコンなどの電力制御用として、
約40%オン抵抗を低減したPチャネルパワーMOS FETを製品化
−小型薄型面実装パッケージ「LFPAK」では業界最小のオン抵抗3.6mΩを実現し、
システムの省エネルギー化、小型化が可能−
  

PチャネルパワーMOS FET 「HAT1072H」


  日立製作所 半導体グループ(グループ長&CEO 長谷川 邦夫)は、このたび、ノートパソコンなどの携帯情報機器の電力制御(パワーマネジメントスイッチ)や過充放電保護回路スイッチ用に、当社従来品に比べ約40%オン抵抗を低減したPチャネルのパワーMOS   FET「HAT1072H」を製品化し、2001年11月からサンプル出荷を開始します。
本製品は、「SOP-8」と同一実装面積かつ薄型の小型面実装パッケージ「LFPAK」(当社外形コード)では業界最高性能である耐圧−30Vで3.6mΩ(typ.)の低オン抵抗を実現しており、システムの省エネルギー化、小型化が図れます。

<背景>
  ノートパソコンなどの携帯情報機器では、バッテリーの接続時間駆動を延長するため、パワーマネジメントなどの機能を搭載しており、電力制御スイッチとして、駆動回路の簡素化が可能なPチャネル パワーMOS FETが使用されています。そして近年のMPUの消費電力増大などに伴い、パワーMOS FETには大きな電流が流れることから、一層のオン抵抗の低減が望まれています。
  こうしたニーズと携帯機器には重要な小型化に対応するため、当社では新プロセスの採用等により低オン抵抗を実現した「HAT1072H」を製品化しました。

<製品について>
  本製品では、0.3μmプロセス採用によりセル密度を高密度化、低オン抵抗特性実現のためのセル構造の最適化を行いました。そしてワイヤレス構造の小型薄型面実装パッケージ「LFPAK」(当社外形コード。サイズ:5.3mm×6.2mm×1.1mm(max.))を採用することにより、当社従来品「HAT1048R」に比べ約40%オン抵抗を低減しています。これはドレイン-ソース間耐圧-30V、-4.5Vドライブ可能で「LFPAK」および同実装面積の「SOP-8」外形のPチャネルパワーMOS FETでは業界最小のオン抵抗であり、負荷電流の増大にともなう損失の悪化を防ぐことが、可能になります。また、従来2個並列で使用していた用途にも本製品1個で対応可能となり、小型化、部品点数の削減が可能です。

  今後は本プロセスでの耐圧-20Vで-2.5Vの駆動電圧に対応可能な製品、薄型パッケージ「TSSOP-8」(当社外形コード)や2素子入り「SOP-8」などのパッケージバリエーションを増やし、小型モータ駆動自動車機器など幅広い用途に対応していく予定です。


■応用製品例
  ●バッテリー保護回路(過充放電保護回路スイッチ)
  ●ノートパソコン、携帯情報機器用電力制御(パワーマネジメントスイッチ)


■ 価 格
製 品 名 サンプル価格(円)
HAT1072H 200


■仕 様
製品名 外 形 タイプ 最大定格 -10V RDS(on)(mΩ) -4.5V RDS(on)(mΩ)
VDSS(V) ID(A) Pch(W) typ. max. typ max.
HAT1072H LFPAK  Pチャネル
 FET 1素子
-30 -40 30 3.6 4.5 5.3

7.7


※RDS(on):オン抵抗
※LFPAK:当社外形コード

以 上




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