日立製作所　半導体グループ（グループ長＆CEO石橋　正）は、このたび携帯電話などの小型
携帯機器のパワーマネジメントスイッチ用として、超薄型・小型かつ低オン抵抗（注1）のパワ
ーMOS FET「HAT1058C」および「HAT1059C」を製品化し、平成13年1月26日からサンプル出荷
を開始します。
  本製品は、新規開発のパッケージ「CMFPAK-6」(当社の外形コード名)を採用することにより、
従来の「TSOP-6」(当社の外形コード名)パッケージに比べ実装面積を約50%削減し、薄さも
0.8mm(max)を実現しています。
  また、当社最新の0.5μmパワーMOS FETプロセス(注2)により「CMFPAK-6」採用のパワーMOS 
FET では業界最小のオン抵抗である-20V耐圧で56mΩ(typ)、-12V耐圧で40mΩ(typ)を実現し
ており、機器の小型化、電池の長寿命化が図れます。

＜背景＞
  電池を主電源とする携帯電話やデジタルスチルカメラ等の携帯機器の小型・軽量化と長時間
動作を実現するため、パワーマネジメントスイッチとして使用されるパワーMOS FETにも小型、
軽量、薄型化、かつ低損失化が要求されています。当社ではこうしたニーズに対応するため、
既に量産中の小型・薄型パッケージ「TSOP-6」（外形サイズ：2.8mm×2.95mm(typ)、薄さ：
1.1mm(max)）を使用したパワーMOS FETよりも一層の小型・薄型化（外形サイズ：2.0mm×2.1
mm(typ)、薄さ：0.8mm(max)）と低オン抵抗を実現した「HAT1058C」、「HAT1059C」を製品化
しました。

＜製品について＞
 「CMFPAK-6」パッケージは、パッケージ本体下部とリードをフラットに配したフラットリー
ドタイプを採用することにより、パッケージ本体上部からリードを配した従来の「TSOP-6」に
比べリードを短くでき、かつパッケージのレジン厚さを薄くすることが可能となりました。　
  また、チップとしては、当社最新の0.5μmパワーMOS　FETプロセスにより小サイズかつ低オ
ン抵抗を実現しました。「HAT1058C」は、-20V耐圧のPチャネルパワーMOS FETで、当社従来の
「TSOP-6」パッケージ品「HAT1043M」と比較し、実装面積は約50%に低減しながら同等のオン
抵抗56mΩ(typ)を実現、また「HAT1059C」は、さらなる低オン抵抗化のため耐圧を-12Vとし、
「CMFPAK-6」または同サイズパッケージのパワーMOS FETでは業界最小のオン抵抗である40mΩ
(typ)を実現しています。これらの製品を使用することで、携帯電話やデジタルスチルカメラ
等携帯機器の小型軽量化、低消費電力化が図れます。

  納入形態としては、エンボステーピングを標準として用意しており、自動装着に対応してい
ます。
　今後は、耐圧-20V以下の超高速動作品およびNチャネルの20Vから30V品のシリーズ展開を行
い、ラインアップ充実を図っていく予定です。

(注1)オン抵抗：パワーMOS FETが動作するときの動作抵抗。パワーMOS FETの性能を
      左右する最も重要なパラメータで、値が小さいほうが高性能である。
(注2)0.5μmパワーMOS FETプロセス：オン抵抗と入力容量とスイッチングスピードを
     同時に改善した当社の第七世代のパワーMOS FETプロセス

■応用製品例
  携帯電話、デジタルスチルカメラ等小型携帯機器

 


                                                               以  上

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