日立製作所 半導体グループ(グループ長＆CEO 石橋 正)は、このたび、ノートパソコンなどの携帯
情報機器のパワーマネジメントスイッチや過充放電保護回路スイッチ用として、当社従来品比1/2の低
オン抵抗を実現したPチャネルのパワーMOS FET「HAT1048R」「HAT1051T」「HAT1054R」を製品化し、
「HAT1048R」「HAT1054R」は平成12年2月29日、「HAT1051T」は平成12年3月31日からサンプル出荷を
開始します。
本製品では、従来チップを2個並列で使用していたシステムに対して1個で対応できるため、システム
の小型化、部品点数の削減が可能です。なかでも「HAT1048R」は、小型面実装パッケージ「SOP-8」
(当社外形コード)では業界最高性能である耐圧−30Vで5.5mΩ(typ.)の低オン抵抗を実現しており、シ
ステムの省エネルギー化が図れます。
ノートパソコンなどの携帯情報機器では、バッテリーの長時間駆動を実現するため、パワーマネジ
メントなどの機能を搭載しており、電力制御スイッチとして、駆動回路の簡素化が可能なPチャネルパ
ワーMOS FETが使用されています。そして、近年のMPUの消費電力増大などに伴い、パワーMOS FETに
は、オン抵抗のより一層の低減が望まれています。
今回製品化した「HAT1048R」「HAT1051T」「HAT1054R」は、0.5μmプロセスの採用により、セル
密度を従来比の2.5倍に高密度化し、さらに低オン抵抗特性実現のためにセル構造の最適化を行なうこ
とで、面積あたりのオン抵抗を従来比1/2に低減しています。
「HAT1048R」は耐圧−30V、4.5Vドライブが可能で、「SOP-8」では業界最高性能の低オン抵抗5.5mΩ
(10Vドライブ時、typ.)を実現しています。「HAT1051T」は耐圧−30V、4.5Vドライブが可能で、薄型
パッケージ「TSSOP-8」(当社外形コード)を採用、オン抵抗は12mΩ(10Vドライブ時、typ.)です。
「HAT1054R」は耐圧−20V、2.5Vドライブが可能であり、「SOP-8」に2素子を搭載しています。オン抵
抗は24mΩ(4.5Vドライブ時、typ.)です。
今後も耐圧、パッケージ毎の様々な製品展開を図り、小型モータ駆動、自動車機器など幅広い用途に
対応していく予定です。
■応用製品例
●ノートパソコンなどの携帯情報機器用電力制御(パワーマネジメント)スイッチ
●スマートバッテリー保護回路
■ 価 格
| 製 品 名 | 外 形 | タイプ | サンプル価格(円) |
| HAT1048R | SOP-8 | PチャネルFET 1素子 | 150 |
| HAT1051T | TSSOP-8 | PチャネルFET 1素子 | 110 |
| HAT1054R | SOP-8 | PチャネルFET 2素子 | 110 |
■仕 様
| 製品名 | 外 形 | タイプ | 最大定格 | 10V
RDS(on)(mΩ) | 4.5V
RDS(on)(mΩ) | 2.5V
RDS(on)(mΩ) |
| VDSS(V) | ID(A) | Pch(W) | typ. | max. | typ. | max. | typ. | max. |
| HAT1048R | SOP-8 | PチャネルFET
1素子 | -30 | -16 | 2.5 | 5.5 | 7 | 9.5 | 13.5 | - | - |
| HAT1051T | TSSOP-8 | PチャネルFET
1素子 | -30 | -9 | 1.3 | 12 | 15 | 20 | 28 | - | - |
| HAT1054R | SOP-8 | PチャネルFET
2素子 | -20 | -6 | 2 | - | - | 24 | 30 | 35 | 50 |
RDS(on)：オン抵抗
以 上
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