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遮断周波数:素子が電流を増幅できる最高の周波数で、デジタル回路の高速動作性能を示す指標。 |
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最大発振周波数:素子が電力を増幅できる最高の周波数で、アナログ回路の高速動作性能を示す指標。 |
(3) |
SiGeC HBTの耐熱特性:バイポーラトランジスタのベース層にCを添加することにより、ベース中の不純物(B)拡散を抑制することが可能となり、高温の熱処理を行ってもベース層の厚さを小さくすることができる。このため、微細CMOSとの同一基板上への混載も可能となり、高性能LSIの実現が可能となる。 |
(4) |
自己整合構造:一度のリソグラフィプロセスのみでトランジスタ主要部を作製することにより、マスクの合わせ精度を考慮せずに素子設計を行うことが可能となる。この結果、寄生容量や寄生抵抗が増大する余分な領域を削減でき、素子性能(高速動作)を向上できる。 |
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ECL回路:エミッタ結合型論理回路。 |