SiGe BiCMOSファンドリ サービス

対応プロセス

　
• ８インチウエハの0.25µm又は0.18µmノードを使用し、各種 fT と耐圧のSiGeバイポーラトランジスタと、各種電源電圧のCMOSトランジスタ、MiMキャパシタ、バラクタ、インダクタ等をご提供します。
• SiGe BiCMOSの標準プロセスを基準に、お客さまのニーズに沿ったオプションプロセスをご提供できます。

プロセス技術の詳細は各ページをご覧下さい。

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ビジネスフロー

NDAのもと、詳細仕様のお打ち合わせ、デザインキットのご提供、GDSデータからマスク作成・シャトル試作/ファンドリサービス、納入製品について、概略フローをご用意しています。

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シャトル試作サービス

シャトル試作サービスでは、他のお客さまと相乗りで試作することにより、IPや機能ブロックの動作確認等、比較的低価格での半導体の試作が可能です。

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ファンドリ サービス

国内SiGe BiCMOSファンドリとして、試作から生産まで対応するとともに、回路設計から組み立て、テストまでトータルにサポートいたします。

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本技術で開発した当事業所の製品の一例として、10Gbps光伝送装置用ICを掲載しています。

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• カタログ「SiGe BiCMOSファンドリ サービス」(PDF形式，672Kバイト)

• SiGe BiCMOSファンドリ サービスについてのお問い合わせはこちら

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