35V～285Vの日立中高耐圧技術と、これまで培ってきたアナログ技術を用いたカスタムICは、幅広い分野に応用されております。
IP・パッケージなど、特徴ある技術を各種用意しています。カスタムによる小型化・高性能化で他社との差別化を図ることが可能です。
仕様策定－フレキシブル生産－品質保証までの統合サービスにより、お客さまのニーズに合せたきめ細かいサポートをご提供いたします。
日立中高耐圧技術は、35V～285Vと幅広い電圧範囲をカバーし、種々の用途に応じて、最適なカスタムソリューションをご提供いたします。
[ BCD ： Bipolar CMOS DMOS ]
アナログ回路の制御に使われるバイポーラと、
動作が速くデジタル制御回路に適したCMOS、
パワーMOSFETの制御に適するDiffused MOSの
プロセス制御を一体化したプロセス技術
[ SOI ： Silocon On Insulator ]
シリコン酸化膜（SiO2）などの絶縁膜の上にSi層を形成した構造。SOIデバイスは基板が絶縁膜で分離されているためラッチアップフリーであり、低消費電力・高速動作に向いている｡
SPIを始めとする種々インターフェースIPや、中高耐圧ICには必須のADC、降圧回路IP等取り揃えており、お客さまの用途に応じて最適な価格でのカスタムソリューションをご提供いたします。
また、パッケージングに関しても、汎用パッケージからSIP、MCM等のカスタムパッケージまで幅広い対応が可能となっております。
日立中高耐圧・アナログ技術を用いたカスタムICの開発事例をご紹介します。
①機能・用途 ： 分散パワー制御用
高圧PWMコントローラー
②デバイス ： 0.35µm 210V SOI
③電源電圧 ： 5V、50V～100V
④発振周波数 ： 10kHz
カスタム対応例
・多チャンネル化
・レベルシフト内蔵
・異常検出回路内蔵
豊富なカスタムIC開発実績がございます。
| 製品例 | 機能・用途 | 特徴 | デバイス |
|---|---|---|---|
| 高速リニアアンプIC | 圧電素子駆動(200Vpp) | 低歪 昇圧制御内蔵 |
0.35µm 210V SOI |
| 高圧パルスアンプIC | 超音波発振子駆動(20MHz) 高速高電圧容量駆動 |
対称波形 高集積 |
|
| プリドライバーIC | IGBT駆動 | 基板絶縁構造 | 0.25µm 35V SOI |
| レギュレータ コントローラーIC |
発電機電流監視 充電電圧制御 |
コントローラー一体 | 0.35µm 35V BCD |
| 電源センサーIC | バッテリー電圧監視 寿命予測 |
処理系一体 |
[事例1] カスタムIC化により電装面積を削減
[事例2] カスタムICにより総コスト低減
これまで最適な駆動ICがなかったために、部品コスト増となっていたのをカスタム化によってコスト低減が可能となります。
[事例3] カスタムICにより装置機能の向上
これまで電装設計が複雑になり装置機能を引き出すことがきなかったがカスタム化によって高機能化が可能となります。
1．カスタムIC開発フロー
以下の概略フローをご用意していますが、
お客さまのご要望に応じたサービスを
ご提供いたします。
2．解析サポート例
お客さまのニーズに合わせたきめ細かい
サポートを提供いたします。
① LSIパッケージ解析
② LSIデバイス解析
・微細配線故障箇所特定
・微小部・極薄膜構造評価
・表面化学結合状態評価
③ FIB (*) 配線修正
④ LSI局所研磨
(*)FIB ：Focused Ion Beam(集束イオンビーム)
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