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日立マイクロデバイス＆ソリューション

uVALUE 実業×IT

Hitachi

アナログカスタムＩＣ

アナログカスタムIC

自社ファブの特徴を生かした開発～生産一貫対応による、安定した製品・品質をご提供いたします。

  • 長年にわたるBiCMOS、CMOS製品開発とIP実績
  • 社内関連研究所との連携による継続的な技術開発
  • 最適デバイス適用により、多種多様な機能を実現
  • ISO9001、ISO14001のマネジメントシステムの認証取得
  • 少量生産にもフレキシブルに対応

プロセスラインナップ


Technology Device fT Voltage Wafer Status
0.35µm Si BiCMOS 20GHz 3.3V SOI MP
13GHz 7V
0.25µm SiGe BiCMOS 15GHz 10V SOI MP
65GHz 3.5V
90GHz 2.5V
137GHz 2.0V
0.18µm SiGe BiCMOS 137GHz 2.0V Bulk MP
210GHz 1.5V
300GHz T.B.D UD

SOI : Silicon On Insulator , MP : Mass Production ,  UD : Under Development

カスタム製品開発例


製品例 機能・用途など 特徴 デバイス
Mux IC (39.8Gbps - 43Gbps)
Dmux IC (39.8Gbps - 43Gbps)		 2.5Gbps x 16ch ⇔ 40Gbps オンチップVCO 15GHz
     ～210GHz
低雑音
SiGe BiCMOS
1チップ
 Mux/Dmux IC (10Gbps)		 640Mbps x 16ch ⇔ 10Gbps 1チップ集積
トランスインピーダンスアンプ 光通信機器向け受信アンプ >9.5GHz
高速ゲインアンプ 光通信機器向け受信アンプ 9GHz
30dB ～ -6dB
高速ピンエレドライバーアンプ 半導体計測器向け 低雑音
高電圧
高精度DAC 基準電圧発生、供給 多チャネル 低雑音BiCMOS
センサーIFアンプ(放射線検出) 検査装置向け 低雑音
センサーIFアンプ(磁気検出) ストレージ機器向け 低雑音

40Gbps Mux ICの例

40Gbps Mux ICの例

  • 機能：16：1変換
  • フルレートオンチップVCO(39.8 - 43GHz)搭載
  • 位相補償 & 判定回路搭載
  • オーバーフローアラーム付きFIFO搭載
  • 温度モニター搭載

トランスインピーダンスアンプの例

トランスインピーダンスアンプの例

  • 機能：光通信機器向け受信O/E変換アンプ
  • デバイス：0.25µm SiGeBiCMOS
  • 変換インピーダンス：1.2kΩ
  • オーバーフローアラーム付きFIFO搭載
  • 入力換算雑音：10pA/√Hz

カスタムIC製品開発フロー・サポート

1．カスタムIC開発フロー
    以下の概略フローをご用意していますが、
    お客さまのご要望に応じたサービスを
    ご提供いたします。

カスタムIC開発フロー

2．解析サポート例
    お客さまのニーズに合わせたきめ細かい
    サポートを提供いたします。

    ① LSIパッケージ解析
    ② LSIデバイス解析
        ・微細配線故障箇所特定
        ・微小部・極薄膜構造評価
        ・表面化学結合状態評価
    ③ FIB (*) 配線修正
    ④ LSI局所研磨

LSIデバイス解析

(*)FIB：Focused Ion Beam
           (集束イオンビーム)

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