マイクロデバイス事業部は1975年(昭和50年)に、当時の東京都小平市にあった武蔵工場の一角にデバイス開発センタとして設立されて以来、これまで30年以上に渡り社会基盤を支える情報・通信システム用LSI並びに主記憶装置であるDRAMの設計・製造を実施し、LSIの高集積・高性能化及び微細化に取り組んできました。
これまでに培ってきた、Si基板でのバイポーラ・CMOSデバイス技術に加え1998年(平成10年)よりSiGeBiCMOSデバイスを開発し、光通信分野、計測器分野向けにLSIを開発してきました。また、2004年(平成16年)よりIGBT/高耐圧MOSを代表とする中高耐圧デバイスの開発に着手し、産業・医療分野向けのLSIの設計・製造を実施しています。
2004年(平成16年)4月にマイクロデバイス事業部と名称変更をし事業部体制での設計・開発に取り組んでいます。
私ども日立製作所マイクロデバイス事業部では、幅広いデバイス技術・設計技術を有することで、サーバやネットワーク機器、通信・計測・医療・産業用システムのニーズにお応えするため、先端のLSI技術をベースに日立グループはもとより世界中のビジネスパートナーと連携しながら、お客さまに喜んでいただけるLSIの設計・開発・製造に取り組んでいきます。
